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日本新研發快閃記憶體技術 號稱大幅提升編程速度
上網時間:2007年09月05日

日本無晶圓廠IC設計業者Genusion日前宣佈,該公司已成功研發一種創新的4MB快閃記憶體技術,可大幅提升快閃...[ 閱讀全文 ]


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問題: 日本新研發快閃記憶體技術 號稱大幅提升編程速度 發表時間: 2007/9/5 上午 0:20
 

提問者: 一朗

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日本無晶圓廠IC設計業者Genusion日前宣佈,該公司已成功研發一種創新的4MB快閃記憶體技術,可大幅提升快閃記憶體的編程速度。
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問題: 日本新研發快閃記憶體技術 號稱大幅提升編程速度 發表時間: 2007/9/5 上午 0:20
 

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日本無晶圓廠IC設計業者Genusion日前宣佈,該公司已成功研發一種創新的4MB快閃記憶體技術,可大幅提升快閃記憶體的編程速度。
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第 1 樓 日本新研發快閃記憶體技術 號稱大幅提升編程速度 發表時間: 2007/9/5 上午 7:43
 

提問者: CCWu

等級: 實習生

積分: 376 分

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應該是 但速度仍不夠快,以電子級與機械級比較,仍差•希望能達DRAM速度
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第 2 樓 日本新研發快閃記憶體技術 號稱大幅提升編程速度 發表時間: 2007/9/5 下午 5:28
 

提問者: 文毅

等級: 鐘點工讀生

積分: 112 分

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我想他指的是program就是寫入的意思 FLASH的讀取是很快的 因為就一般記憶體一樣速度是可以很快 但是你要PROGRAM的話就要用到高壓 那麼速度就會比較慢 因為他要重新把電子吸附到GATE的絕禒層裡 可以試試從隨身碟拷備一個500M的檔出來 再試試拷備500M的檔案進去 你就會很清礎的感受到速的差異
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