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電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形
上網時間:2008年05月08日

惠普實驗室(HP Labs)的資深院士R. Stanley Williams不久前成功地證實了有關「憶阻器(memristor)」的學說─...[ 閱讀全文 ]


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問題: 電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 6:48
 

提問者: lapulas

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惠普實驗室(HP Labs)的資深院士R. Stanley Williams不久前成功地證實了有關「憶阻器(memristor)」的學說──所謂的憶阻器是電子電路中除了電阻、電容與電感之外的第四種被動元素,早在1971年就由美國加州柏克萊大學教授Leon Chua所提出,不過當時僅是初步發現,直到日前才由HP正式發表。而此一成果也意味著相關教科書必須重新改寫。
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問題: 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 6:48
 

提問者: lapulas

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目前的基礎科學仍然存在有許多未知及謬誤, 都需靠這些研究人員終其一生的努力來發現, 真的很佩服, 不知台灣對基礎科學研究的重視何時才能加強.
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第 1 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 8:16
 

提問者: 不死神之狂刀

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科技就是做實驗做出來一段時間產品, 還是要靠專研才可能在異外發現新事物~~
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第 2 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 9:06
 

提問者: 靜星

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對呀
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第 3 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 9:12
 

提問者: 政憲

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此發現如屬真實,對電子電路應用應該會有另一種突破...
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第 4 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 9:31
 

提問者: 型英帥俊正

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聽起來很神,但還事想看到實際應用在產品上,因為理論都是理想值,實際上可能還有未發現的變數存在
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第 5 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 11:04
 

提問者: JonesLai

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看來、、、電子學要重修了
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第 6 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 上午 11:18
 

提問者: 邓磊

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这应该是一个错误的副产品!
在分子和高分子电子学器件领域的开拓,这也许是一个路边的发现而已!
使用大量的高分子组装的器件进行设计的大门正在打开。
我们未来面对的电子电路,更类似一个超大规模并行的复杂机械齿轮系统的组装。直接简单的使用电流和电压这种宏观表达概念去设计的思维正在逝去。
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第 7 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 下午 1:43
 

提問者: zeuselephant

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帥阿老皮!看來未來這類相關研究又會突飛猛進
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第 8 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 下午 4:34
 

提問者: 善財

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可預見未來人類與科技文明之突飛猛進!!
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第 9 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 下午 7:19
 

提問者: Fred Wu

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"HP已在其超高密度縱橫式交換器(crossbar switches)中測試過以上元素,該交換器使用奈米線(nanowires)達到在單晶片中儲存100Gbits容量資料的記錄"至少在實驗室已經有成品了~不知道半導體產業會不會因此大搬風?
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第 10 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 下午 8:35
 

提問者: MINGJR

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看來電路電子學又都要重唸了....XD
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第 11 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 下午 10:19
 

提問者: CCWu

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我的預測是不出3年,電子界(半導體界)會有大意外•
我一再告訴大家:要注意磁學的知識•memristor是用電阻差異來記憶,實際上MRAM就是以M/R比判斷0與1,我的看法是MRAM比較靠近實用性,memristor需較長時間驗證•
想想可否利用磁場來發電?以前Tesla就發明永動機,如果利用磁場讓電動機永遠在動,永遠發電,缺電問題就解決了•
科技的進步需要有異想天開的腦袋,執著的投入•但更應有社會大眾的支持,美國的社會對全新點子都不遺餘力的支持,大公司會支持,反觀台灣,這些高智慧的研究人員都被錢折磨,被政治力介入,被學術敗類鬥爭掉了,所以沒有真正自己開發出來得新東西•我之道有三個非常breakthrough的東西可玩,利用現有設備即可,但沒人願支持,可惜•
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第 12 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/8 下午 10:19
 

提問者: CCWu

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我的預測是不出3年,電子界(半導體界)會有大意外•
我一再告訴大家:要注意磁學的知識•memristor是用電阻差異來記憶,實際上MRAM就是以M/R比判斷0與1,我的看法是MRAM比較靠近實用性,memristor需較長時間驗證•
想想可否利用磁場來發電?以前Tesla就發明永動機,如果利用磁場讓電動機永遠在動,永遠發電,缺電問題就解決了•
科技的進步需要有異想天開的腦袋,執著的投入•但更應有社會大眾的支持,美國的社會對全新點子都不遺餘力的支持,大公司會支持,反觀台灣,這些高智慧的研究人員都被錢折磨,被政治力介入,被學術敗類鬥爭掉了,所以沒有真正自己開發出來得新東西•我之道有三個非常breakthrough的東西可玩,利用現有設備即可,但沒人願支持,可惜•
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第 13 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 上午 1:13
 

提問者: 許\瑞倉

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小弟不才,請教一下
文中提到: Williams表示,對該元件通電之後,就能推動材料層中的氧空缺到沒有氧空缺的地方,因而改變其電阻係數值達1000以上,將憶阻器「開啟」;而若將電流逆轉,讓氧空缺回到原地,就可「關閉」憶阻器。這樣的行為跟二極體有什麼差別?
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第 14 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 上午 8:49
 

提問者: JonesLai

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最大的差別就在於永久記憶狀態,還是像二極體暫時記憶狀態。
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第 15 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 上午 9:03
 

提問者: 冷如冰

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向這些科技的領航者致敬;因為這些人孜孜不倦的耕耘,才會開會璀璨萬世的花朵。恩 至於說若在台灣想玩Breakthrough的東西,但受限環境的話,不妨將創意寄去國外公司,毛遂自薦或許有機會....
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第 16 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 上午 9:33
 

提問者: Dandy

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以下是引用 CCWu 在 2008/5/8 下午 10:19 的發言
"  有三個非常breakthrough的東西可玩,利用現有設備即可,但沒人願支持,可惜•"

CCWu 兄,你可願意分享?

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第 17 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 上午 9:58
 

提問者: Johsen

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牛!!!
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第 18 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 上午 11:06
 

提問者: sampengtw

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向這些研究人員敬禮
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第 19 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 下午 5:03
 

提問者: ChangPeter

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這研究發現真是酷!以前只知道電容和電感可以儲存資料,沒想到電阻也可以,甚至於比現在所有的記憶體都還棒o真酷!
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第 20 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/9 下午 9:57
 

提問者: zeuselephant

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有可能記憶體到了未來全部都不一樣了嗎?用憶阻器當記憶體?有趣有趣∼
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第 21 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/10 下午 4:40
 

提問者: 坤賢

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如果成真 可以想見隨身記憶時代的來臨了!!
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第 22 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/10 下午 5:31
 

提問者: kyle hsiao

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哎…以後教科書要換了…
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第 23 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/10 下午 9:01
 

提問者: CCWu

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我得到3個臭雞蛋,請板主將我的資料全刪除
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第 24 樓 回覆主題:電路學大發現──傳說中的「憶阻器」現形 發表時間: 2008/5/10 下午 9:01