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優點多多　MARM進軍航太應用
上網時間:2008年03月04日

隨著日本宇宙航空研究開發機構(Japan Aerospace Exploration Agency)即將發射SpriteSat衛星，MRAM技術的應...[ 閱讀全文 ]


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問題： 優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 8:26
 

提問者： peter-chou

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隨著日本宇宙航空研究開發機構(Japan Aerospace Exploration Agency)即將發射SpriteSat衛星，MRAM技術的應用領域也將延伸至外太空。
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問題： 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 8:26
 

提問者： peter-chou

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價格是能否商業化的一大挑戰.
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第 1 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 8:29
 

提問者： 恐龍王

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航太的東西, 應該沒有便宜的吧!! 能否"穩定大量產", 才是關鍵所在ㄚ~~
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第 2 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 8:52
 

提問者： 子房

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標題錯了......是MRAM 吧！
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第 3 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 9:00
 

提問者： CCWu

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Moto的MRAM是用MTJ技術，物理原理上極不可靠，因為量子力學是講求機率的，電子穿過(tunnel)絕緣層無法預測，且可靠度差，不必期望MTJ的MRAM會成功•
IBM、CYPRESS、MICRON、Samsung..等均放棄了•
價格不是問題，經過量產會降低•問題是可靠度很差，根本不能用•大家可以注意相變化記憶體(Phase Change RAM, PRAM)，以及更新的技術，有興趣來email討論
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第 4 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 9:59
 

提問者： Brewster

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Moto的MRAM 是採用所謂的Toggle Cell，並非所謂的STT元件。然而這些元件都是採用MTJ技術，只是操作方法不一樣，此Toggle Cell的可靠度並不會有啥大問題，重點是cost down 及微縮化的問題。 至於相變化記憶體(Phase Change RAM, PRAM)好像有機會，但是在60nm or 45nm 技術下的MOS是否能夠提供足夠大的電流來使其轉態，還是一大問題。
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第 5 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 上午 10:03
 

提問者： maxchung

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MRAM uses MTJ, which is the same principle used in advanced flash memory, it "IS" more reliable than flash both in lifetime and error bit rate. The real issue is performance/price ratio, and the fact it can not be scaled down much further, because the smaller the device is, the stronger tha magnetic field need to be.
I know Akerman, he knows what he is doing.
The future is Spintronics.
maxchung 編輯於 2008/3/4 上午 10:04
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第 6 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 下午 6:22
 

提問者： CCWu

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我的觀察是MTJ式的MRAM根本問題在於可靠度，因很多應用只需16M/4M而已，如果可靠度沒問題，4M可以賣到3美元以上，且一年有數千萬顆的量，但為何沒見到應用端之產品? 磁性質的應用是未來的方向，大家可注意• Spintronics device確是未來產品，耗電1/1000，speed是1000倍、density是mos的10倍，操作溫度是-55 - 150度，製程成本是mos的1/8•
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第 7 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/4 下午 11:55
 

提問者： zeuselephant

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即使是不可靠...所以才更有研究的價值 當第一個拿到這種技術的公司 應該會賺瘋
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第 8 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/6 上午 2:58
 

提問者： b7940437

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相似的FRAM 已問世五年以上,發展仍有限,產品的推廣,價格仍是主要因素之一.
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第 9 樓 回覆主題：優點多多　MARM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/7 上午 11:06
 

提問者： Brewster

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Toggle Cell 的 MRAM他最主要的問題 應該是disturbance 以及 微縮化後 操作電流會迅速增加的問題，不然就單一顆 Toggle Device 它本身的可操作次數可大於10^12次以上，且其操作速度小於50ns(讀+寫)，唯一的致命缺點就是太耗面積。 至於Spintronics device的speed是1000倍，這問題，看看是跟誰比，如果跟flash 的寫入速度比 還有可能，如果是跟toggle MRAM比的話，那不就太神奇囉 ，他的寫入速度不就是 50ps。 如果有發現哪家研究單位做出來 寫入速度達 50ps的非揮發性記憶體的話，一定要拿出來聞香一下。
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第 10 樓 回覆主題：優點多多　MRAM進軍航太應用 發表時間： 2008/3/7 下午 8:44
 

提問者： CCWu

等級： 實習生

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spintronics device 的速度是1/000 of silicon；因不必charge/discharge，只是switch故省電；因可以stackˇ故high densit；因未公開發表故你仍未知；因想幫助可年憐的台灣故放出風聲，希望有志之士/年輕朋友去研究磁學/磁材料/磁應用，有興趣可來mail cheney6372@yahoo.com.tw
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