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問題: 電源設計問題(DD) 發表時間: 2008/1/24 下午 4:55
 

提問者: 少尉廚師

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小弟最近接觸DD架構後,有幾個問題想要請教各位先拜,希望可以得到解答謝謝~
1.有關於high side and low side 怎麼條件下會考慮1H2L or 1H1L 等等排法,另外MOSFET怎麼知道那當high or low side 是怎麼選擇法~另外我看一般low side 的耐電流 是high side 兩倍 為什麼low side 是用兩顆?
2.小弟想請教一下SOA的意思~例如我選Id 選10A 在Vds大於1V的話 只能撐100ms 超過這時候的話 就代表這mosfet有可能變成火花~是不是這樣子看法~另外Vds 是指外佳偏壓 還是Rds與ids 產生的偏壓~這樣子不是看ids的大小就好了 因為ids愈大~Rds也會更著愈大~ 就可能讓mos燒掉了 真是奇怪~希望有人可以解釋一下 還有就是vds 除了ids 會讓他增加 還有什麼其他條件也會讓它有變動
3.有關於NB各PWWIC交換頻率選擇問題~就是各PWM IC(VCODE~3v/5v~等等)之最佳效率來選擇使用~還是一個NB系統會統一一個頻率使用,那各別IC使用有不同的頻率~有什麼要注意的地方~或者發生奇怪的現象?
4. 一般MOSFET會不會注意dv/dt~di/dt問題~好像MOS比較耐超,一般而言都不會care被電感的瞬間電壓 (or 電容的瞬間電流) 打穿~ 大家有沒有遇到類似的情況 MOS被擊破了
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第 1 樓 回覆主題:電源設計問題(DD) 發表時間: 2008/2/12 下午 4:58
 

提問者: shinee

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1.要看你的loading,一般來說因為Low Side所吃的電流較重(電感電流的波形可以看出充放電的時間比率)。High Side 看Qg ,Low Side 看Rds(on)。

2.SOA? Vds是指外加偏壓沒錯。不過很少在看Vds的變化(飽和後幾乎不變)。大部分都是看Rds(on),會跟溫度、Id、Vds有關。建議可以看看Mosfet的datasheet。
3.有可能會有"共振"的現象出現,要注意元件擺設跟layout。
4.不是太care,一般來說前面的PWM就有基本的保護了(soft start & OVP)且,一開始時是Low Side倒通,為了把多餘的電感能量放光。
Jun K 編輯於 2008/2/12 下午 4:59
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第 2 樓 回覆主題:電源設計問題(DD) 發表時間: 2008/2/14 下午 3:17
 

提問者: 少尉廚師

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那再請教一下 一般MOS廠商所提供Qg的數值因為條件皆不相同,如何判斷其Qg是否為理想的數據 謝謝!!
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第 3 樓 回覆主題:電源設計問題(DD) 發表時間: 2008/2/14 下午 4:16
 

提問者: shinee

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可以看曲線 不過原則上如果是條件不相同的話Vgs,Vds,Id 不同那就沒辦法看的出來。或是要看您的應用,一般相同規格的Mos的測試條件都會接近才是,且Qg的值也都會比較接近。
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第 4 樓 回覆主題:電源設計問題(DD) 發表時間: 2008/2/19 下午 5:02
 

提問者: 少尉廚師

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那聽說hi side 是看Qg 的值 low side 是看Rds的數值 那通常多少範圍內 會叫hi side or low side ? ? 謝謝~
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