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問題： OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/2 下午 9:43
 

提問者： 一朗

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大家相信都有用過OPA741
現在相似的OP很多種
不過有的用BJT有的用MOS
有的還混著用
不知大家對於這2個元件夠成的OP其優缺點如何?
還有什麼情況用哪種會比較好呢?
大家討論看看~
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第 1 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/3 上午 6:47
 

提問者： Martin Lin

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以下我發表一些小小弟意見.
演進過程是JFET先   MOSFET後,現今通常使用MOSFET比較多...但JFET還是持續在使用

原因三個:
1.0 體積小
2.0 省電
3.0 量產
其基本結構及特性不同
BJT 為電流控制元件
FET 為電壓控制元件

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
想請大家順便來比較一下,JFET OP&CMOS OP的差異處.....
備註一:
TTL(transistor-transitor logic)是由電晶體做成的數位邏輯IC，屬於較早期發展的族系，有逐漸
被CMOS 取代的趨勢。

備註二:
MOSFET 與BJT 最主要的差異是：
MOSFET 的閘極與源極(或是閘極
與汲極)之間幾乎是絕緣狀態(由元件圖可想見)，因此當G、S 極之間施加
直流偏壓時，閘極電流為零(IG = 0)。
相較於BJT，這也是MOSFET 最受稱道的優點！
MOSFET 導通
與否並非由閘極電流控制，而是取決於閘極與源極之間的電位差(VGS)，因
此一般稱MOSFET 為「電壓控制元件」；

BJT 因為IC 大小由IB 決定，因此稱為「電流控制元件」
備註三:
CMOS 在靜止狀態幾乎沒有電流流
動，不僅省電，而且由於低消耗功率，發熱量較小，因此可提高IC 中電
晶體的密度，製作更大型、速度更快的數位積體電路。
雖然高速切換時
CMOS 仍需消耗可觀的電流，但是一顆大型的IC(如微處理機)中，同一時
間可能只有部分的電路(邏輯閘)作動，因此整體而言CMOS 數位IC 遠比
BJT 做成的IC省電
備註四:
CMOS IC 的輸出電壓可達到兩個極限值，也就是
VDD 與0(rail-to-rail)
備註五:
互補式金屬-氧化層-半導體（Complementary Metal-Oxide- Semiconductor，CMOS，簡稱互補式金氧半）是一種積體電路製程，可在矽晶圓上製作出PMOS（P-channel MOSFET）和NMOS（N-channel MOSFET）元件，由於PMOS與NMOS在特性上為互補性，因此稱為CMOS。此製程可用來製作微處理器（microprocessor），微控制器（microcontroller），靜態隨機存取記憶體（SRAM）與其他數位邏輯電路。CMOS具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點，因此非常省電且發熱少。早期的唯讀記憶體（ROM）主要就是以这种電路制作，由於當時BIOS程序和参数信息都保存在ROM中，以致在很多情况下當人们提到「CMOS」時，实际上指的是BIOS單元，而「设置CMOS」就是意指在设置BIOS。

BIOS 是用了CMOS 製程.所以大家這樣稱呼它.習以為常了
Martin Lin 編輯於 2007/8/3 上午 8:34
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第 2 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/4 下午 11:51
 

提問者： 一朗

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很不錯的資訊,不過現在有的OPA做的很複雜,兩種元件兜在一塊做的也有,真是不可小覷OPA的世界
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第 3 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/5 上午 10:15
 

提問者： Martin Lin

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的確,小小的一顆OPA 元件卻是大大學問.
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第 4 樓 OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/6 下午 9:15
 

提問者： 一朗

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以LAYOUT來看
應該是MOS構成的比較省
BJT通常都畫成3*3  OR 5*5
相對的面積就比較大些
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第 5 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/14 下午 2:17
 

提問者： Martin Lin

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也可參考,DC/DC 電路設計  . { 論壇的討論 }
http://forum.eettaiwan.com/FORUM_POST_1200041715_0.HTM
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第 6 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/19 下午 2:56
 

提問者： 一朗

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在部分重要OP的部分還是用BJT
是因為BJT會使OP兩端的OFFSET會比MOS的小
所以比較精準的還是會使用BJT,不然就得用TRIM了~
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第 7 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/8/27 上午 10:26
 

提問者： Martin Lin

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雙載子接面電晶體（BJT）
．少數載子元件，電流驅動型元件，其基極電流必須持續存在才能使BJT維持導通狀態。
．在基極端輸入電流時，集極端就會有電流產生，集極電流的大小依電晶體的增益而定。
．兩種操作模式：線性區與飽和區，線性區適用於放大電路，而飽和區則為開關使用。
．構造上存在一個儲存時間，BJT內部的少數載子儲存時間較長，典型的切換頻率僅可達十幾KHz左右。
 
 
金氧半場效電晶體（MOSFET）
．多數載子元件，驅動方式為電壓控制，其閘源極尖必須維持存在適當的電壓才能使其維持turn on 狀態。
．將Vgs降至額定電壓即可將MOSFET降至turn off狀態。
．turn on與turn off的切換過程中會有閘極電容的充放電電流，其切換時間相當短，約幾十個ns到幾百個ns。
．導通電阻隨耐壓而增加，具有正溫度係數，適合並聯。
Martin Lin 編輯於 2007/8/27 下午 12:46
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第 8 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/9/6 下午 8:55
 

提問者： 一朗

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不知道用兩者做出來的OP
其GAIN , PHASE MARGIN , FREQ BAND WIDTH & PSRR
比較誰的效能比較好呢?
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第 9 樓 回覆主題：OP用BJT和MOS的優缺點在那? 發表時間： 2007/9/26 上午 10:18
 

提問者： Administrator

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以下是引用 一朗 在 2007/9/6 下午 8:55 的發言
不知道用兩者做出來的OP
其GAIN , PHASE MARGIN , FREQ BAND WIDTH & PSRR
比較誰的效能比較好呢?

我覺得要看OP的架構,不同架構的特性也不同

而不同架構有些可用BJT做,有些不行,所以要看情況而定
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